Targed Sputtering Silicon (Si).

Mae silicon poly-grisialog, a elwir hefyd yn poly-silicon neu poly-Si, yn ffurf purdeb uchel, poly-grisialog o silicon, a ddefnyddir fel deunydd crai gan y diwydiant solar ffotofoltäig ac electroneg. Mae poly-silicon yn cael ei gynhyrchu o silicon gradd metelegol trwy broses buro cemegol, a elwir yn broses Siemens. Mae'r broses hon yn cynnwys distyllu cyfansoddion silicon anweddol, a'u dadelfennu i silicon ar dymheredd uchel. Mae proses fireinio amgen sy'n dod i'r amlwg yn defnyddio adweithydd gwely hylifedig.

Mae'r diwydiant ffotofoltäig hefyd yn cynhyrchu silicon gradd metelegol uwchraddedig (UMG-Si), gan ddefnyddio prosesau metelegol yn lle puro cemegol. Pan gaiff ei gynhyrchu ar gyfer y diwydiant electroneg, mae poly-silicon yn cynnwys lefelau amhuredd o lai nag un rhan fesul biliwn (ppb), tra bod silicon gradd solar poly-grisialog (SoG-Si) yn gyffredinol yn llai pur.

Mae'r porthiant poly-silicon - gwiail mawr, sydd fel arfer wedi'u torri'n dalpiau o feintiau penodol a'u pecynnu mewn ystafelloedd glân cyn eu cludo - yn cael eu bwrw'n uniongyrchol i ingotau aml-grisialog neu eu cyflwyno i broses ailgrisialu i dyfu boules grisial sengl. Yna caiff y cynhyrchion eu sleisio'n wafferi silicon tenau a'u defnyddio ar gyfer cynhyrchu celloedd solar, cylchedau integredig a dyfeisiau lled-ddargludyddion eraill.

Targed sputtering silicon, fel deunyddiau swyddogaethol pwysig iawn, mae'n ei ddefnyddio'n bennaf ar gyfer adneuo SiO2, Si3N4 a haen dielectric eraill gan broses sputtering magnetig. Mae'r ffilmiau tenau hynny'n cael eu nodweddu gan galedwch rhagorol, eiddo optig, dielectrig, gwrthsefyll traul a chorydiad, sy'n cael ei gymhwyso'n eang i faes gwydr dargludo tryloyw LCD, gwydr adeiladu LOW-E a micro-electroneg.

SiAl planar / targed cylchdro

Targed sputtering SiO2

Targed sputtering SiC

Targed sputtering Si3N4

Tagiau poblogaidd: silicon (si) targed sputtering, Tsieina silicon (si) sputtering targed cyflenwyr, ffatri